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STB5N80K5 Technische Spezifikationen

N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 177pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STB5N52K3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1236
STB5N62K3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2592
STB5NA50 ST Spezialisierte heiße ICs 10844
STB5NA50 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 10996
STB5NA50T4 ST Spezialisierte heiße ICs 30348
STB5NA50T4 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 2723
STB5NA80 ST Spezialisierte heiße ICs 20
STB5NB60T4 ST Spezialisierte heiße ICs 2534
STB5NC50-1 SY Spezialisierte heiße ICs 718
STB5NC50T4 ST Spezialisierte heiße ICs 2700

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