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STB8NM60D Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STB8N65M5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5200
STB8N90K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2562
STB8NA50 ST Spezialisierte heiße ICs 5004
STB8NA50T4 ST/ Spezialisierte heiße ICs 4784
STB8NC50 ST Spezialisierte heiße ICs 50000
STB8NC50-1 ST Spezialisierte heiße ICs 50000
STB8NC50T4 ST Spezialisierte heiße ICs 1268
STB8NC70Z ST Spezialisierte heiße ICs 50000
STB8NC70Z-1 ST Spezialisierte heiße ICs 55500
STB8NC70ZT4 ST Spezialisierte heiße ICs 7500

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