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STD10NM65N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD10 Bussmann (Eaton) Elektrische, Spezial-Sicherungen 2704
STD1001VH02L STM Spezialisierte heiße ICs 2800
STD100GK08 Sirectifier IGBT-Module 2613
STD100GK08B Sirectifier IGBT-Module 2503
STD100GK12 Sirectifier IGBT-Module 2552
STD100GK12B Sirectifier IGBT-Module 2583
STD100GK14 Sirectifier IGBT-Module 2673
STD100GK14B Sirectifier IGBT-Module 2774
STD100GK16 Sirectifi IGBT-Module 2786
STD100GK16B Sirectifier IGBT-Module 2750

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