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STD10PF06-1 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD10 Bussmann (Eaton) Elektrische, Spezial-Sicherungen 2704
STD1001VH02L STM Spezialisierte heiße ICs 2800
STD100GK08 Sirectifier IGBT-Module 2613
STD100GK08B Sirectifier IGBT-Module 2503
STD100GK12 Sirectifier IGBT-Module 2552
STD100GK12B Sirectifier IGBT-Module 2583
STD100GK14 Sirectifier IGBT-Module 2673
STD100GK14B Sirectifier IGBT-Module 2774
STD100GK16 Sirectifi IGBT-Module 2786
STD100GK16B Sirectifier IGBT-Module 2750

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