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STD25NF10LA Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD25 Bussmann (Eaton) Elektrische, Spezial-Sicherungen 2774
STD253GK08 SIRECTIFIER IGBT-Module 2635
STD253GK12 SIRECTIFIER IGBT-Module 2684
STD253GK14 SIRECTIFI IGBT-Module 2548
STD253GK16 SIRECTIFIER IGBT-Module 2755
STD253GK18 SIRECTIFIER IGBT-Module 2660
STD2555NL S Spezialisierte heiße ICs 10500
STD2596-ADJ SEMTRON Spezialisierte heiße ICs 584
STD25N10 ST Spezialisierte heiße ICs 22808
STD25N10F7 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34691

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