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STD2NM60T4 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD2N105K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3899
STD2N40-1 ST Spezialisierte heiße ICs 3361
STD2N50 D2N50 ST Spezialisierte heiße ICs 896
STD2N52-1 ST Spezialisierte heiße ICs 2606
STD2N60 ST Spezialisierte heiße ICs 960
STD2N62K3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 14175
STD2N80 STM Spezialisierte heiße ICs 10
STD2N80K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 39133
STD2N95K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1611
STD2NA50T4 ST Spezialisierte heiße ICs 22862

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