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STD3NK60Z-1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 311pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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