STD5NM50AG Technische Spezifikationen

POWER TRANSISTORS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 7.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.5A, 10V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD5N20L ST Spezialisierte heiße ICs 17750
STD5N20L MOS ST Spezialisierte heiße ICs 23624
STD5N20LT4 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5452
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