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STD6NF10T4 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STD6N10 ST Spezialisierte heiße ICs 2790
STD6N10 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 282
STD6N10T4 ST Spezialisierte heiße ICs 2331
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