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STF26NM60N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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STF260N4F7 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2635
STF26N60M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1520
STF26NM60N 26NM60N ST Spezialisierte heiße ICs 719
STF26NM60N MOS ST Spezialisierte heiße ICs 38258
STF26NM60N-H STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 482
STF26NM60ND STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 585
STF26NM60ND MOS ST Spezialisierte heiße ICs 493
STF26NM60Z ST Spezialisierte heiße ICs 30

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