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STGB20V60F Technische Spezifikationen

IGBT 600V 40A 167W D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 15V
Switching Energy 200µJ (on), 130µJ (off)
Power - Max 167W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 38ns/149ns
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 116nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STGB2012-151PT Original Spezialisierte heiße ICs 16500
STGB20H60DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2590
STGB20H60DF GB20H60DF ST Spezialisierte heiße ICs 1324
STGB20M65DF2 STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 33474
STGB20N40LZ STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2629
STGB20N45LZAG STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 3844
STGB20NB32LZ STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 20000
STGB20NB32LZ-1 ST Spezialisierte heiße ICs 20000
STGB20NB32LZT4 ST Spezialisierte heiße ICs 14822
STGB20NB37LZ STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 1079

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