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STGB3NB60FDT4 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 6A 68W D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 125µJ (off)
Series PowerMESH™
Power - Max 68W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 12.5ns/105ns
Supplier Device Package D2PAK
Reverse Recovery Time (trr) 45ns
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 16nC
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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STGB30H60DF GB30H60DF ST Spezialisierte heiße ICs 983
STGB30H60DFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2761
STGB30H60DLFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2694
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2775
STGB30H65FB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 0
STGB30M65DF2 STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 42287
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