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STGD4M65DF2 Technische Spezifikationen

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Switching Energy 40µJ (on), 136µJ (off)
Series M
Power - Max 68W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 16A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/86ns
Supplier Device Package DPAK
Reverse Recovery Time (trr) 133ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 15.2nC
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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