STGF20M65DF2 Technische Spezifikationen

IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Switching Energy 140µJ (on), 560µJ (off)
Series M
Power - Max 32.6W
Other Names 497-17319 STGF20M65DF2-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 63nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 26ns/108ns
Supplier Device Package TO-220FP
Reverse Recovery Time (trr) 166ns
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 40A 32.6W Through Hole TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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STGF20H60DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 1328
STGF20H60DF GF20H60DF ST Spezialisierte heiße ICs 836
STGF20NB60S STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2676
STGF20NC60KD GF20NC60KD ST Spezialisierte heiße ICs 868
STGF20V60DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2787

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