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STGW30M65DF2 Technische Spezifikationen

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 300µJ (on), 960µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 80nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 31.6ns/115ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 258W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STGW30H60DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2517
STGW30H60DFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 391
STGW30H60DLFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 852
STGW30H65FB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 8375
STGW30N120KD STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2636
STGW30N90D STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 543
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