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STGW60H65DRF Technische Spezifikationen

IGBT 650V 120A 420W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 940µJ (on), 1.06mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 19ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 217nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 85ns/178ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 420W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STGW60H60DLFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 1344
STGW60H65DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 446
STGW60H65DFB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2425
STGW60H65DFB IC ST Spezialisierte heiße ICs 371
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 582
STGW60H65DRF TO247 STM Spezialisierte heiße ICs 30
STGW60H65F STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 293
STGW60H65FB STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 1017
STGW60NC60WD GW60NC60WD ST Spezialisierte heiße ICs 604
STGW60V60DF STMicroelectronics Transistoren - IGBTs - Einzel 2367

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