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STGWT80H65DFB Technische Spezifikationen

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 85ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 414nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Td (on/off) @ 25°C 84ns/280ns
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 469W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A
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