STH15NB50FI Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package ISOWATT-218
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerMESH™
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case ISOWATT-218-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
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STH150N10F7-2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21450
STH15810-2 STM Spezialisierte heiße ICs 1436
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STH15NB50F ST Spezialisierte heiße ICs 2

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