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STH60N099DM9-2AG Technische Spezifikationen

he STH60N099DM9-2AG from STMicroelectronics is a MOSFET with Continous Drain Current 27 A, Drain Source Resistance 99 milli-ohm, Drain Source Breakdown Voltage 600 V, Gate Source Voltage 30 V, Gate Source Threshold Voltage 4 V. Tags: Surface Mount.

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Description Automotive-grade N-channel Power MOSFET
Transistor Polarity N-Channel
Continous Drain Current 27 A
Drain Source Breakdown Voltage 600 V
Gate Source Threshold Voltage 4 V
Power Dissipation 179 W
Industry Automotive
Package Type Surface Mount
Applications High efficiency switching applications
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Types of MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Number of Channels Single
Drain Source Resistance 99 milli-ohm
Gate Source Voltage 30 V
Gate Charge 44 nC
Temperature operating range -55 to 150 Degree C
Qualification AEC-Q101
Package H²PAK-2
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STH60N099DM9-2AG Markenhersteller: STMicroelectronics, Bonchip Aktie, STH60N099DM9-2AG Referenzpreis. STH60N099DM9-2AG Parameter, STH60N099DM9-2AG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden STH60N099DM9-2AG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden STH60N099DM9-2AG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, STH60N099DM9-2AG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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