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STI30NM60N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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STI300N4F6 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2670
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STI30NM60N Markenhersteller: STMicroelectronics, Bonchip Aktie, STI30NM60N Referenzpreis. STI30NM60N Parameter, STI30NM60N Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden STI30NM60N Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden STI30NM60N Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, STI30NM60N Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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