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STL18N60M2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case 4-PowerFlat™ HV
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 308 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 791pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STL18N55M5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3169
STL18N60M6 ST Spezialisierte heiße ICs 4033
STL18N65M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2600
STL18N65M5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6240
STL18NM60N STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9386

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