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STL9N60M2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 860 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STL9N3LLH5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2603
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STL9N80K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2738
STL9NK30Z ST Spezialisierte heiße ICs 542

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