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STP14NM65N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STP140N10F4 ST Spezialisierte heiße ICs 70
STP140N4F6 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
STP140N6F7 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1468
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