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STP19NM50N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STP190N55LF3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1139
STP190NF04 ST Spezialisierte heiße ICs 1247
STP19N06L ST Spezialisierte heiße ICs 118
STP19NB20 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 886
STP19NB20FP ST Spezialisierte heiße ICs 8650
STP19NF20 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2213
STP19NF20 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 431
STP19NM65N STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 517

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