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STP30NM60ND Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STP300NH02L STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 621
STP3010PGA SUN Spezialisierte heiße ICs 95
STP3016BLF-38.88MHZ RAKON Spezialisierte heiße ICs 415
STP3017ELF RAKON Spezialisierte heiße ICs 289
STP3020 PH Spezialisierte heiße ICs 529
STP3020L ST Spezialisierte heiße ICs 1539
STP3035QFP SUM Spezialisierte heiße ICs 1330
STP3051LF 10MHZ RAKON Spezialisierte heiße ICs 462
STP3052D Stanson Spezialisierte heiße ICs 50424
STP30L40CW ST Spezialisierte heiße ICs 2656

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