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STP9NK65ZFP Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1145pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STP9N50ZFP ST Spezialisierte heiße ICs 48
STP9N60M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1349
STP9N60M2 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 354
STP9N65M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1325
STP9N65ZFP ST Spezialisierte heiße ICs 347
STP9N70 ST Spezialisierte heiße ICs 381
STP9N80K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2950
STP9NB50 ST Spezialisierte heiße ICs 9979
STP9NB50FP ST Spezialisierte heiße ICs 10527
STP9NB50FP MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5508

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