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STQ1NK80ZR-AP Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Tc)
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