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STS4DNFS30L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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