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STU11NM60ND Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | FDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
STU11NM60ND Unterlagen
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-
Datenblätter
STU11NM60ND.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'STU11'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
STU11N65M2 | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 491 |
STU11NC60 | ST/ | Spezialisierte heiße ICs | 932 |
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