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STU3N65M6 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M6
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STU3N45K3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10453
STU3N62K3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 440
STU3N62K3 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 540
STU3N80K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4291

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