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STU7NM60N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STU7N105K5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2583
STU7N60M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 648
STU7N65M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 483
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