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STU80N4F6 Technische Spezifikationen
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-251 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 40A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
STU80N4F6 Unterlagen
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-
Datenblätter
STU80N4F6.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
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