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STU9N65M2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 5A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STU9N60M2 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 553
STU9N95M2 ST Spezialisierte heiße ICs 96234
STU9NA60 ST Spezialisierte heiße ICs 5880
STU9NB80 ST Spezialisierte heiße ICs 1138
STU9NC80 ST Spezialisierte heiße ICs 5880
STU9NC80Z ST Spezialisierte heiße ICs 5880
STU9NC80ZI ST Spezialisierte heiße ICs 620

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