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STV160NF02LAT4 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 10-PowerSO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Package / Case PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STV160NF02L STM IGBT-Module 4500
STV160NF02LA ST Spezialisierte heiße ICs 25
STV160NF02LT4 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2049
STV160NF03L ST Spezialisierte heiße ICs 40
STV160NF03LAT4 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2733
STV160NF03LT4 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11776
STV160NF03LT4 IC ST Spezialisierte heiße ICs 1462

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