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STW34NM60N Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 14.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2722pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STW34N20 ST Spezialisierte heiße ICs 7538
STW34N65M5 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3376
STW34NB20 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1358
STW34NB20 W34NB20 ST Spezialisierte heiße ICs 1607
STW34NM60N 34NM60N ST Spezialisierte heiße ICs 444
STW34NM60N MOS ST Spezialisierte heiße ICs 534
STW34NM60ND STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1241

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