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STW56N60M2-4 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ M2 |
Power Dissipation (Max) | 350W (Tc) |
Package / Case | TO-247-4 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | TO-247-4L |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 26A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
STW5630/JDR18BDR | Seoul Semiconductor | LED-Beleuchtung - COBs, Engines, Module | 2799 |
STW56N60DM2 | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 338 |
STW56N60M2 | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 540 |
STW56N60M2 94N65 MOS | ST | Spezialisierte heiße ICs | 1268 |
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STW56N65M2-4 | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3600 |
STW56NM60N | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2768 |
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STW56N60M2-4 Markenhersteller: STMicroelectronics, Bonchip Aktie, STW56N60M2-4 Referenzpreis. STW56N60M2-4 Parameter, STW56N60M2-4 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden STW56N60M2-4 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden STW56N60M2-4 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, STW56N60M2-4 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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