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GPA030A120MN-FD Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-3PN
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 329W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 30A, 10Ohm, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Switching Energy 4.5mJ (on), 850μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Active
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 450ns
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Gate Charge 330nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/245ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
GPA030A120I-FD Global Power Technologies Group Transistoren - IGBTs - Einzel 2766
GPA030A120I-FD SemiQ Einzelne IGBTs
GPA030A120I-FD Global Power Einzelne IGBTs
GPA030A120MN-FD Global Power Technologies Group Transistoren - IGBTs - Einzel 2729
GPA030A120MN-FD Global Power Einzelne IGBTs
GPA030A135MN-FDR Global Power Technologies Group Transistoren - IGBTs - Einzel 2500
GPA030A135MN-FDR SemiQ Einzelne IGBTs
GPA030A135MN-FDR Global Power Einzelne IGBTs

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GPA030A120MN-FD Markenhersteller: SemiQ, Bonchip Aktie, GPA030A120MN-FD Referenzpreis. GPA030A120MN-FD Parameter, GPA030A120MN-FD Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden GPA030A120MN-FD Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden GPA030A120MN-FD Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, GPA030A120MN-FD Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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