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TSM150P03PQ33 RGG
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TSM150P03PQ33 RGG Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | TSM150P03PQ33 RGGTR TSM150P03PQ33 RGGTR-ND TSM150P03PQ33RGGTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1829pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
TSM150P03PQ33 RGG Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'TSM15'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
TSM150NB04CR RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2632 |
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