TSM1N45CT A3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.25V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Box (TB)
Other Names TSM1N45CT A3GTB TSM1N45CT A3GTB-ND TSM1N45CTA3GTB
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-92
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 450V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92
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