TSM220NB06CR RLG Technische Spezifikationen

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names TSM220NB06CRRLGTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 35A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case 8-PowerLDFN
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1454pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TSM220NB06LCR RLG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
TSM2211D ST Spezialisierte heiße ICs 756
TSM221IDT ST Spezialisierte heiße ICs 648
TSM221IN ST Spezialisierte heiße ICs 2591

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