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TSM2N100CP ROG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names TSM2N100CP ROGCT TSM2N100CP ROGCT-ND TSM2N100CPROGCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 77W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.85A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TSM2N100CH C5G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0
TSM2N60 TSC Spezialisierte heiße ICs 562
TSM2N60CH C5 TSC Spezialisierte heiße ICs 10355
TSM2N60CP TW Spezialisierte heiße ICs 2437
TSM2N60CP IC TSC Spezialisierte heiße ICs 1126
TSM2N60CPRO TW Spezialisierte heiße ICs 2914
TSM2N60CPRO MOS TSC Spezialisierte heiße ICs 2735
TSM2N60CW TS Spezialisierte heiße ICs 2204
TSM2N60ECH C5G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2524
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