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TSM3N80CH C5G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names TSM3N80CH C5G-ND TSM3N80CHC5G
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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