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US1M R3G Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names US1M R3GTR US1M R3GTR-ND US1MR3GTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 23 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
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