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TC58BVG1S3HBAI4 Technische Spezifikationen

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Series Benand™
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Package / Case 63-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 2Gb (256M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 10367
TC58BVG0S3HTA0 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 619
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 2991
TC58BVG0S3HTA00 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 747
TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 3039

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TC58BVG1S3HBAI4 Markenhersteller: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip Aktie, TC58BVG1S3HBAI4 Referenzpreis. TC58BVG1S3HBAI4 Parameter, TC58BVG1S3HBAI4 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TC58BVG1S3HBAI4 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TC58BVG1S3HBAI4 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TC58BVG1S3HBAI4 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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