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TC58CYG2S0HRAIG Technische Spezifikationen

4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND (SLC)
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI 104MHz 8-WSON (6x8)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 8-WSON (6x8)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface SPI
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 104MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TC58C1286AXB Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 17
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TC58C1287AXB(YDELA) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1134
TC58C128AFTI TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3358
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TC58CYG2S0HRAIG Markenhersteller: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip Aktie, TC58CYG2S0HRAIG Referenzpreis. TC58CYG2S0HRAIG Parameter, TC58CYG2S0HRAIG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TC58CYG2S0HRAIG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TC58CYG2S0HRAIG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TC58CYG2S0HRAIG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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