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TC58NVG2S0HBAI4 Technische Spezifikationen

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Packaging Tray
Other Names TC58NVG2S0HBAI4JDH TC58NVG2S0HBAI4YCL TC58NVG2S0HBIAJDH
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 25ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Package / Case 63-VFBGA
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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TC58NC20FF01 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2504
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TC58NVG2S0HBAI4 Markenhersteller: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip Aktie, TC58NVG2S0HBAI4 Referenzpreis. TC58NVG2S0HBAI4 Parameter, TC58NVG2S0HBAI4 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TC58NVG2S0HBAI4 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TC58NVG2S0HBAI4 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TC58NVG2S0HBAI4 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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