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THGBMHG8C4LBAWR
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THGBMHG8C4LBAWR Technische Spezifikationen
IC FLASH 256G MMC 153WFBGA
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Series | e•MMC™ |
Package / Case | 153-WFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | MMC |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 52MHz |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 153-WFBGA (11.5x13) |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 256Gb (32G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
THGBMHG8C4LBAWR Unterlagen
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Datenblätter
2.THGBMHG8C4LBAWR.pdf 1.THGBMHG8C4LBAWR.pdf
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
THGBM1G4D1EBAI | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 2700 |
THGBM1G4D1EBAI7 | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 846 |
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THGBM1G8D8FBAI2 | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 15 |
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THGBMHG8C4LBAWR Markenhersteller: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip Aktie, THGBMHG8C4LBAWR Referenzpreis. THGBMHG8C4LBAWR Parameter, THGBMHG8C4LBAWR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden THGBMHG8C4LBAWR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden THGBMHG8C4LBAWR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, THGBMHG8C4LBAWR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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