2SA1163-GR,LF Technische Spezifikationen

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type PNP
Power - Max 150mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package S-Mini
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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2SA1103 Sanken Electric Co., Ltd. Spezialisierte heiße ICs 1459
2SA1104 SANKEN Spezialisierte heiße ICs 457
2SA1105 SANKEN Spezialisierte heiße ICs 7328
2SA1106 Sanken Electric Co., Ltd. Spezialisierte heiße ICs 590
2SA1109 NEC Spezialisierte heiße ICs 5262
2SA1110-Q PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 2531
2SA11100Q Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
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2SA1112 PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 845
2SA1115 Original Spezialisierte heiße ICs 3299

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