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2SA1869-Y(JKT,Q,M) Technische Spezifikationen

TRANS PNP 3A 50V TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 10W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-220NIS
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SA1802 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 939
2SA1806-Q PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 3000
2SA1806-Q(TX) Original Spezialisierte heiße ICs 6000
2SA1806GRL Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2519
2SA1806JRL Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2698
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