2SC2229-O(MIT1F,M) Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92MOD
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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2SC2207 HIT Spezialisierte heiße ICs 474
2SC2216 Original Spezialisierte heiße ICs 6146
2SC2216-Y Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 462
2SC2222H PANJIT Spezialisierte heiße ICs 88219
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2SC2223 F14 SK Spezialisierte heiße ICs 6260
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